产品简介："### 型号应用简介

**IPD052N10NF2S-VB** 是由 **VBsemi** 公司生产的一款高性能 **N沟道 MOSFET**，采用 **TO252** 封装。

### 产品详细参数说明

- **封装**：TO252
- **沟道类型**：Single-N（N沟道）
- **漏源电压（VDS）**：100V
- **栅源电压（VGS）**：±20V
- **阈值电压（Vthtyp）**：3V
- **导通电阻（RDS(on)）**：
- VGS=4.5V：7.7mΩ
- VGS=10V：6mΩ
- **连续漏极电流（ID）**：85A
- **技术**：SGT（Shielded Gate Trench）

### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**：
- **应用**：IPD052N10NF2S-VB 适用于高效率的 **DC-DC 转换器** 和 **AC-DC 电源**。其低导通电阻和高电流能力使其在 **开关电源** 和 **电源逆变器** 中表现出色，能够有效降低功耗并提高系统效率。
- **模块**：常用于 **服务器电源**、**通信电源** 和 **工业电源** 模块中。

2. **电机驱动模块**：
- **应用**：该 MOSFET 适用于 **电机驱动** 应用，特别是需要高电流和低导通电阻的场合。其高开关速度和低损耗特性使其在 **电动工具**、**家用电器** 和 **工业电机** 驱动中表现优异。
- **模块**：广泛应用于 **无刷直流电机（BLDC）驱动器** 和 **步进电机驱动器** 模块中。