产品简介："### 型号应用简介

**IPD90N10S4-06-VB** 是由 VBsemi 公司生产的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用 TO252 封装。该器件具有低导通电阻和高电流承载能力，适用于高效率的功率转换和开关应用。其 SGT（Shielded Gate Trench）技术进一步优化了开关性能和热管理，使其在高频和高功率应用中表现出色。

### 产品详细参数说明

- **封装**：TO252
- **沟道类型**：Single-N
- **漏源电压 (VDS)**：100V
- **栅源电压 (VGS)**：±20V
- **阈值电压 (Vthtyp)**：3V
- **导通电阻 (RDS(on))**：
- VGS=4.5V 时：7.7 mΩ
- VGS=10V 时：6 mΩ
- **漏极电流 (ID)**：85A
- **技术**：SGT（Shielded Gate Trench）

### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**：
- **应用**：IPD90N10S4-06-VB 适用于高效率的 DC-DC 转换器和开关电源模块。其低导通电阻和高电流承载能力使其在电源管理系统中能够有效降低功耗，提高整体效率。
- **模块**：适用于服务器电源、通信电源和工业电源模块。

2. **电机驱动模块**：
- **应用**：在电机驱动应用中，该 MOSFET 能够提供高效的功率开关，适用于电动工具、家用电器和工业电机控制系统。
- **模块**：适用于 BLDC（无刷直流电机）驱动器和步进电机驱动器。

3. **电动汽车和混合动力汽车**：
- **应用**：IPD90N10S4-06-VB 的高电压和高电流特性使其非常适合用于电动汽车和混合动力汽车中的功率转换和电机驱动系统。