产品简介："### 型号应用简介

**FDD86067-F085-VB** 是 VBsemi 公司推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用 TO252 封装，具有低导通电阻和高电流承载能力。该器件适用于高效率、高功率密度的应用场景，如电源管理、电机驱动和工业控制等领域。其低导通电阻和高开关速度使其在需要高效能量转换的系统中表现出色。

### 产品详细参数说明

- **封装**：TO252
- **沟道类型**：Single N-Channel
- **漏源电压 (VDS)**：100V
- **栅源电压 (VGS)**：±20V
- **阈值电压 (Vthtyp)**：3V
- **导通电阻 (RDS(on))**：
- VGS=4.5V 时：7.7 mΩ
- VGS=10V 时：6 mΩ
- **漏极电流 (ID)**：85A
- **技术**：SGT (Shielded Gate Trench)

### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**：
- **应用**：FDD86067-F085-VB 适用于高效率的 DC-DC 转换器和开关电源模块。其低导通电阻和高电流承载能力使其在电源转换过程中能够有效减少能量损耗，提高整体效率。
- **模块**：适用于服务器电源、通信电源和工业电源模块。

2. **电机驱动模块**：
- **应用**：在电机驱动系统中，FDD86067-F085-VB 可用于驱动高功率电机，如工业电机、电动工具和电动汽车的电机控制器。其高电流承载能力和快速开关特性使其能够有效控制电机的启动、停止和速度调节。
- **模块**：适用于电动工具控制器、工业电机驱动器和电动汽车电机控制器。