产品简介："### 型号应用简介

AP10NB5R0XT-VB 是 VBsemi 推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用先进的 SGT（Shielded Gate Trench）技术，具有低导通电阻和高电流承载能力。其封装为 DFN5X6，适用于高密度 PCB 设计，广泛应用于电源管理、电机驱动、逆变器等领域。该器件在 100V 的 VDS 和 ±20V 的 VGS 下表现出色，Vth 典型值为 3V，适合高效能和高可靠性的应用场景。

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### 产品详细参数说明

- **型号名称**: AP10NB5R0XT-VB
- **品牌**: VBsemi
- **封装**: DFN5X6
- **沟道类型**: Single-N
- **VDS（漏源电压）**: 100V
- **VGS（栅源电压）**: ±20V
- **Vth（阈值电压）**: 3V（典型值）
- **RDS(ON)（导通电阻）**: 5.6mΩ（VGS=10V 时）
- **ID（漏极电流）**: 105A
- **技术**: SGT（Shielded Gate Trench）

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### 应用领域及模块举例

1. **电源管理模块**
AP10NB5R0XT-VB 的低导通电阻（5.6mΩ）和高电流承载能力（105A）使其非常适合用于高效率的 DC-DC 转换器和开关电源模块。例如，在服务器电源、通信设备电源和工业电源中，该器件可以有效降低功耗并提高系统效率。

2. **电机驱动模块**
在电机驱动应用中，如电动工具、无人机电机控制器和工业电机驱动器，AP10NB5R0XT-VB 的高电流能力和快速开关特性可以显著提升电机响应速度和整体性能。