产品简介："### 型号应用简介

**AP10NB6R9CST-VB** 是由 **VBsemi** 公司生产的一款高性能 **Single-N** 沟道 MOSFET。该器件采用 **DFN5X6** 封装，具有低导通电阻和高电流承载能力，适用于多种高功率和高效率的应用场景

### 产品详细参数说明

- **封装**：DFN5X6
- **沟道类型**：Single-N
- **VDS（漏源电压）**：100V
- **VGS（栅源电压）**：±20V
- **Vthtyp（阈值电压）**：3V
- **RDS(on)（导通电阻）**：5.6mΩ @ VGS=10V
- **ID（最大漏极电流）**：105A
- **技术**：SGT（Shielded Gate Trench）

### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**：
- **应用**：AP10NB6R9CST-VB 适用于高效率的 DC-DC 转换器、AC-DC 电源适配器和开关电源（SMPS）。其低导通电阻和高电流承载能力使其在电源管理模块中能够有效降低功耗，提升整体效率。


2. **电机驱动模块**：
- **应用**：该 MOSFET 可用于电机驱动电路，特别是在需要高电流和高电压的场合，如电动工具、无人机、电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）的电机控制系统。


3. **电池管理系统（BMS）**：
- **应用**：在电池管理系统中，AP10NB6R9CST-VB 可用于电池充放电控制、电池保护电路等。其高电流能力和低导通电阻使其在电池管理系统中能够有效减少能量损耗，延长电池寿命。