产品简介："### 型号应用简介

**IAUC100N10S5N040-VB** 是由 **VBsemi** 公司生产的一款高性能 **N沟道 MOSFET**，采用 **DFN5X6** 封装。该器件具有 **100V** 的漏源电压（VDS）和 **105A** 的连续漏极电流（ID），适用于高功率和高效率的应用场景。其低导通电阻（RDS(on)）仅为 **5.6mΩ**（在 VGS=10V 时），使其在高电流应用中表现出色。此外，该 MOSFET 的栅极阈值电压（Vthtyp）为 **3V**，栅极电压范围（VGS）为 **±20V**，适用于多种驱动电路设计。

### 产品详细参数说明

- **封装**：DFN5X6
- **沟道类型**：Single-N
- **漏源电压（VDS）**：100V
- **栅源电压（VGS）**：±20V
- **栅极阈值电压（Vthtyp）**：3V
- **导通电阻（RDS(on)）**：5.6mΩ @ VGS=10V
- **连续漏极电流（ID）**：105A
- **技术**：SGT（Shielded Gate Trench）

### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**：
- **应用**：IAUC100N10S5N040-VB 适用于高效率的 DC-DC 转换器和开关电源模块。其低导通电阻和高电流能力使其在电源管理系统中能够有效降低功耗，提升整体效率。
- **模块**：适用于服务器电源、通信电源、工业电源等高功率密度电源模块。

2. **电机驱动模块**：
- **应用**：在电机驱动应用中，该 MOSFET 能够提供高电流输出和低导通损耗，适用于电动工具、家用电器、工业电机等领域的驱动电路。
- **模块**：适用于 BLDC（无刷直流电机）驱动模块、步进电机驱动模块等。