产品简介："### 型号应用简介

**型号名称：IAUC100N10S5L040-VB**
**品牌：VBsemi**
**封装：DFN5X6**
**沟道：Single-N**
**VDS：100V**
**VGS：±20V**
**Vthtyp：3V**
**VGS=10V：5.6(mΩ)**
**ID：105A**
**技术：SGT**

### 产品详细参数说明

IAUC100N10S5L040-VB 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET，采用先进的 SGT（Shielded Gate Trench）技术，具有低导通电阻和高电流承载能力。其封装形式为 DFN5X6，适用于高密度 PCB 布局。该器件的主要参数包括：

- **VDS（漏源电压）：100V**，适用于中高电压应用。
- **VGS（栅源电压）：±20V**，提供宽泛的驱动电压范围。
- **Vthtyp（阈值电压）：3V**，确保在低电压下也能有效开启。
- **RDS(on)（导通电阻）：5.6mΩ @ VGS=10V**，低导通电阻减少了功率损耗。
- **ID（漏极电流）：105A**，高电流承载能力适用于大功率应用。

### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**
IAUC100N10S5L040-VB 的低导通电阻和高电流承载能力使其非常适合用于电源管理模块，如 DC-DC 转换器和开关电源。在这些应用中，MOSFET 的高效开关特性和低损耗能够显著提高整体电源效率。

2. **电机驱动模块**
在电机驱动模块中，该 MOSFET 的高电流承载能力和低导通电阻使其能够有效驱动大功率电机，如工业电机和电动汽车电机。其宽泛的栅源电压范围也使得驱动电路设计更加灵活。