产品简介："### 型号应用简介

**BSC050N10NS5-VB** 是 VBsemi 推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用先进的 SGT（Shielded Gate Trench）技术，具有低导通电阻和高电流承载能力。该器件适用于高功率密度和高效率的应用场景，广泛应用于电源管理、电机驱动、工业控制和汽车电子等领域。

### 产品详细参数说明

- **型号名称**: BSC050N10NS5-VB
- **品牌**: VBsemi
- **封装**: DFN5X6
- **沟道类型**: Single-N
- **漏源电压 (VDS)**: 100V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vthtyp)**: 3V
- **导通电阻 (RDS(on))**: 5.6mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 105A
- **技术**: SGT（Shielded Gate Trench）

### 应用领域及模块

1. **电源管理模块**
BSC050N10NS5-VB 的低导通电阻和高电流承载能力使其非常适合用于高效率的 DC-DC 转换器和开关电源模块。例如，在服务器电源、通信基站电源和工业电源中，该器件可以有效降低功耗，提高系统效率。

2. **电机驱动模块**
在电机驱动应用中，如电动工具、家用电器和工业电机控制器，BSC050N10NS5-VB 能够提供稳定的高电流输出，确保电机的高效运行和快速响应。其高耐压特性也使其适用于高压电机驱动系统。