产品简介："### 型号应用简介

BSC070N10NS5-VB 是 VBsemi 公司推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用先进的 SGT（Shielded Gate Trench）技术，具有低导通电阻和高电流承载能力。。

### 产品详细参数说明

- **封装**：DFN5X6
DFN（Dual Flat No-leads）封装具有优异的散热性能和紧凑的尺寸，适合高密度 PCB 设计。

- **沟道类型**：Single-N

- **漏源电压（VDS）**：100V

- **栅源电压（VGS）**：±20V

- **阈值电压（Vthtyp）**：3V

- **导通电阻（RDS(on)）**：5.6mΩ @ VGS=10V

- **最大连续漏极电流（ID）**：105A

- **技术**：SGT（Shielded Gate Trench）

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### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**
BSC070N10NS5-VB 的低导通电阻和高电流能力使其非常适合用于高效率的 DC-DC 转换器和开关电源模块。例如，在服务器电源、通信基站电源和工业电源中，该器件可以有效降低功率损耗，提高系统效率。

2. **电机驱动模块**
在电机驱动应用中，如电动工具、无人机和电动汽车的电机控制器，BSC070N10NS5-VB 的高电流承载能力和快速开关特性可以显著提升驱动性能，同时减少发热。

3. **光伏逆变器**
在太阳能发电系统中，光伏逆变器需要高效、可靠的功率器件。BSC070N10NS5-VB 的 100V 耐压和低导通电阻使其成为光伏逆变器中功率开关的理想选择。