产品简介："### 型号应用简介

**型号名称**: DMT10H4M5LPS-VB
**品牌**: VBsemi
**封装**: DFN5X6
**沟道类型**: Single N-Channel
**VDS (漏源电压)**: 100V
**VGS (栅源电压)**: ±20V
**Vth (阈值电压)**: 3V
**RDS(on) (导通电阻)**: 5.6mΩ @ VGS=10V
**ID (漏极电流)**: 105A
**技术**: SGT (Shielded Gate Trench)

### 产品详细参数说明

DMT10H4M5LPS-VB 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET，采用先进的 SGT (Shielded Gate Trench) 技术，具有低导通电阻和高电流承载能力。其封装为 DFN5X6，适合高密度 PCB 布局。该器件在 VGS=10V 时的导通电阻仅为 5.6mΩ，能够在高电流应用中有效降低功耗。其漏源电压 (VDS) 高达 100V，适用于中高电压应用场景。此外，该 MOSFET 的栅源电压 (VGS) 范围为 ±20V，提供了较高的驱动灵活性。

### 应用领域

1. **电源管理模块**:
DMT10H4M5LPS-VB 适用于高效率的 DC-DC 转换器和电源管理模块。其低导通电阻和高电流承载能力使其在开关电源和电池管理系统中表现出色，能够有效降低功耗并提高系统效率。

2. **电机驱动模块**:
在电机驱动应用中，该 MOSFET 可以用于驱动直流电机或步进电机。其高电流承载能力和低导通电阻使其在电机控制电路中能够提供稳定的性能，适用于电动工具、家用电器和工业自动化设备。