产品简介："### 型号应用简介

**DMTH10H4M6SPS-VB** 是VBsemi品牌推出的一款高性能N沟道MOSFET，采用先进的SGT（Shielded Gate Trench）技术，具有低导通电阻和高电流承载能力。该器件适用于高功率密度和高效率要求的应用场景，如电源管理、电机驱动、电池保护等。其紧凑的DFN5X6封装设计使其在空间受限的应用中表现出色，同时提供优异的散热性能。

### 产品详细参数说明

- **封装**：DFN5X6
- **沟道类型**：Single-N
- **漏源电压（VDS）**：100V
- **栅源电压（VGS）**：±20V
- **阈值电压（Vthtyp）**：3V
- **导通电阻（RDS(on)）**：5.6mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流（ID）**：105A
- **技术**：SGT（Shielded Gate Trench）

### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**：
- **应用场景**：开关电源、DC-DC转换器、AC-DC适配器
- **优势**：DMTH10H4M6SPS-VB的低导通电阻和高电流承载能力使其在电源管理模块中能够有效降低功耗，提高转换效率。其紧凑的封装设计也适合高密度电源模块的应用。

2. **电机驱动模块**：
- **应用场景**：电动工具、家用电器、工业电机
- **优势**：在电机驱动模块中，该MOSFET能够提供高效的电流控制，减少热量产生，延长电机寿命。其高耐压和低导通电阻特性使其在高压电机驱动中表现出色。