产品简介："### 型号应用简介

**DMTH10H4M5LPSWQ-VB** 是VBsemi品牌推出的一款高性能N沟道MOSFET，采用DFN5X6封装，具有低导通电阻和高电流承载能力。该器件适用于高功率密度和高效率要求的应用场景，如电源管理、电机驱动和电池保护等。其优异的电气性能和紧凑的封装设计使其在现代电子设备中具有广泛的应用前景。

### 产品详细参数说明

- **封装**：DFN5X6
- **沟道类型**：Single N-Channel
- **漏源电压 (VDS)**：100V
- **栅源电压 (VGS)**：±20V
- **阈值电压 (Vthtyp)**：3V
- **导通电阻 (RDS(on))**：5.6mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**：105A
- **技术**：SGT (Shielded Gate Trench)

### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**：
- **应用**：DC-DC转换器、AC-DC转换器
- **说明**：DMTH10H4M5LPSWQ-VB的低导通电阻和高电流承载能力使其在电源管理模块中表现出色，能够有效降低功耗，提高转换效率。适用于服务器电源、通信电源等高功率密度应用。

2. **电机驱动模块**：
- **应用**：电动工具、家用电器、工业电机
- **说明**：该MOSFET的高电流能力和快速开关特性使其非常适合用于电机驱动模块，能够提供稳定的驱动电流，减少电机启动和运行时的能量损耗，提高整体系统效率。