产品简介：

DMTH10H4M6SPSWQ-VB 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET，采用先进的 SGT（Shielded Gate Trench）技术，具有低导通电阻和高电流承载能力。该器件封装为 DFN5X6，适用于高密度 PCB 设计，能够在高电压和高电流条件下提供优异的性能。

- **VDS（漏源电压）**：100V，适用于中高电压应用场景。
- **VGS（栅源电压）**：±20V，提供宽范围的栅极驱动电压选择。
- **Vthtyp（阈值电压）**：3V，适合低电压驱动的应用。
- **RDS(ON)（导通电阻）**：5.6mΩ @ VGS=10V，低导通电阻意味着更低的功耗和更高的效率。
- **ID（最大漏极电流）**：105A，能够承载大电流，适合高功率应用。
- **技术**：SGT 技术提供了更好的开关性能和热管理能力。

### 应用领域

1. **电源管理模块**
DMTH10H4M6SPSWQ-VB 适用于高效率的 DC-DC 转换器和电源管理模块。其低导通电阻和高电流承载能力使其在开关电源和电池管理系统中表现出色，能够有效降低功耗并提高系统效率。

2. **电机驱动模块**
在电机驱动应用中，该 MOSFET 能够提供高电流和低导通电阻，适用于电动工具、家用电器和工业电机控制系统。其高 VDS 和宽 VGS 范围使其能够在各种电压条件下稳定工作。

3. **汽车电子模块**
由于其高可靠性和高电流承载能力，DMTH10H4M6SPSWQ-VB 非常适合用于汽车电子中的电源分配、电机控制和电池管理系统。其 SGT 技术还提供了更好的热管理，适合在高温环境下工作。