产品简介："### 型号应用简介

**DMT10H009LPS-VB** 是 VBsemi 推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用先进的 SGT（Shielded Gate Trench）技术，具有低导通电阻和高电流承载能力。

### 产品详细参数说明

- **封装**：DFN5X6

- **沟道类型**：Single N-Channel

- **VDS（漏源电压）**：100V

- **VGS（栅源电压）**：±20V

- **Vth（阈值电压）**：3V（典型值）

- **RDS(on)（导通电阻）**：5.6mΩ（VGS=10V）


- **技术**：SGT（Shielded Gate Trench）


### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**
DMT10H009LPS-VB 的低导通电阻和高电流承载能力使其非常适合用于 DC-DC 转换器、AC-DC 电源适配器和开关电源模块。其高效率和快速开关特性有助于提高电源系统的整体性能。

2. **电机驱动模块**
在电机驱动应用中，该 MOSFET 可以用于驱动 BLDC（无刷直流电机）或步进电机。其高耐压和高电流能力确保了电机在高速和高负载下的稳定运行。

3. **电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）**
在电动汽车和混合动力汽车中，DMT10H009LPS-VB 可以用于电池管理系统（BMS）、车载充电器和逆变器模块。其高可靠性和高效率有助于延长电池寿命并提高车辆的整体性能。