产品简介："### 型号应用简介

**DMTH10H009LPS-VB** 是 VBsemi 品牌推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用先进的 SGT（Shielded Gate Trench）技术，具有低导通电阻和高电流承载能力。该器件封装为 DFN5X6，适用于高密度、高效率的电源管理应用。其优异的电气特性使其在多种领域和模块中表现出色，尤其是在需要高功率密度和高可靠性的场景中。

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### 产品详细参数说明

- **型号名称**: DMTH10H009LPS-VB
- **品牌**: VBsemi
- **封装**: DFN5X6
- **沟道类型**: Single N-Channel
- **漏源电压 (VDS)**: 100V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vthtyp)**: 3V
- **导通电阻 (RDS(on))**: 5.6mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 105A
- **技术**: SGT（Shielded Gate Trench）

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### 应用领域及模块

1. **电源管理模块**
DMTH10H009LPS-VB 的低导通电阻和高电流承载能力使其非常适合用于高效率的 DC-DC 转换器和同步整流模块。例如，在服务器电源、通信基站电源和工业电源中，该器件可以有效降低功耗，提升系统效率。

2. **电机驱动模块**
在电机驱动应用中，如电动工具、无人机和电动汽车的电机控制器，DMTH10H009LPS-VB 的高电流能力和快速开关特性可以显著提高驱动效率，减少发热，延长系统寿命。