产品简介："### 型号应用简介

**DMTH10H009LPSQ-VB** 是VBsemi品牌推出的一款高性能N沟道场效应晶体管（MOSFET），采用先进的SGT（Shielded Gate Trench）技术，具有低导通电阻和高电流承载能力。该器件适用于需要高效率和高可靠性的电源管理、电机驱动和开关电源等应用场景。

### 产品详细参数说明

- **型号名称**: DMTH10H009LPSQ-VB
- **品牌**: VBsemi
- **封装**: DFN5X6
- **沟道类型**: Single N-Channel
- **漏源电压 (VDS)**: 100V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vthtyp)**: 3V
- **导通电阻 (RDS(on))**: 5.6mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 105A
- **技术**: SGT (Shielded Gate Trench)

### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**:
- **应用**: 高效率DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）、电源适配器
- **说明**: DMTH10H009LPSQ-VB的低导通电阻和高电流承载能力使其在电源管理模块中表现出色，能够有效降低功耗，提高系统效率。

2. **电机驱动模块**:
- **应用**: 电动工具、无人机、工业电机驱动
- **说明**: 该器件的高电流能力和快速开关特性使其非常适合用于电机驱动模块，能够提供稳定的动力输出和高效的能量转换。