产品简介："### 型号应用简介

**AP8N8R0H-VB** 是由 **VBsemi** 公司生产的一款高性能 **N沟道 MOSFET**，采用 **TO252** 封装。
### 产品详细参数说明

- **封装**：TO252
- **沟道类型**：N沟道
- **漏源电压（VDS）**：80V
- **栅源电压（VGS）**：±20V
- **典型阈值电压（Vthtyp）**：3V
- **导通电阻（RDS(on)）**：4.6mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流（ID）**：120A
- **技术**：SGT（Shielded Gate Trench）

### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**：
- **应用场景**：AP8N8R0H-VB 适用于 **DC-DC 转换器**、**AC-DC 电源** 和 **电池管理系统（BMS）** 等电源管理模块。其低导通电阻和高电流能力使其在高效电源转换中表现出色，能够有效降低功耗并提高系统效率。


2. **电机驱动模块**：
- **应用场景**：该 MOSFET 适用于 **电机驱动** 应用，如 **电动工具**、**家用电器** 和 **工业电机控制**。其高电流能力和低导通电阻使其能够驱动大功率电机，同时减少热量产生，延长设备寿命。


3. **汽车电子模块**：
- **应用场景**：在 **汽车电子** 领域，该 MOSFET 适用于 **车载充电器（OBC）**、**DC-DC 转换器** 和 **电机驱动** 等模块。其高耐压和低导通电阻使其能够在汽车电气系统中提供高效的能量转换和驱动能力。