产品简介："### 型号应用简介

**IPD040N08NF2S-VB** 是 VBsemi 公司推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用 TO252 封装，适用于高电流、高效率的功率转换和开关应用。其低导通电阻（RDS(on)）和高电流承载能力使其在电源管理、电机驱动和工业控制等领域表现出色。该器件采用 SGT（Shielded Gate Trench）技术，进一步优化了开关性能和热管理，适合高频开关应用。

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### 产品详细参数说明

- **型号名称**: IPD040N08NF2S-VB
- **品牌**: VBsemi
- **封装**: TO252
- **沟道类型**: Single-N（单 N 沟道）
- **漏源电压 (VDS)**: 80V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vthtyp)**: 3V
- **导通电阻 (RDS(on))**: 4.6mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 120A
- **技术**: SGT（Shielded Gate Trench）

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### 应用领域及模块

1. **电源管理模块**
IPD040N08NF2S-VB 的低导通电阻和高电流承载能力使其非常适合用于 DC-DC 转换器、AC-DC 电源和电池管理系统。例如，在服务器电源、通信电源和工业电源模块中，该器件可以有效降低功率损耗，提升整体效率。

2. **电机驱动模块**
在电机驱动应用中，如电动工具、无人机电机和工业电机控制器，IPD040N08NF2S-VB 的高电流能力和快速开关特性能够提供稳定的驱动性能，同时减少发热和能量损耗。