产品简介："### 型号应用简介

**IPD055N08NF2S-VB** 是 VBsemi 公司推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用 TO252 封装，适用于高电流、高效率的功率开关应用。其低导通电阻（RDS(on)）和高电流承载能力使其在电源管理、电机驱动和工业控制等领域表现出色。该器件采用先进的 SGT（Shielded Gate Trench）技术，进一步提升了开关效率和热性能。

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### 产品详细参数说明

- **封装**：TO252

- **沟道类型**：Single-N

- **VDS（漏源电压）**：80V

- **VGS（栅源电压）**：±20V

- **Vthtyp（阈值电压）**：3V

- **RDS(on)（导通电阻）**：4.6mΩ @ VGS=10V

- **ID（漏极电流）**：120A

- **技术**：SGT（Shielded Gate Trench）


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### 应用领域及模块示例

1. **电源管理模块**
- **应用场景**：开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、AC-DC 整流器。
- **优势**：低导通电阻和高电流能力减少了功率损耗，提升了电源效率，适合高功率密度设计。

2. **电机驱动模块**
- **应用场景**：电动工具、无人机、工业电机控制器。
- **优势**：高电流承载能力和快速开关特性使其在电机驱动中表现出色，支持高效 PWM 控制。

3. **工业控制模块**
- **应用场景**：PLC（可编程逻辑控制器）、工业自动化设备。
- **优势**：高可靠性和宽电压范围使其在恶劣工业环境中稳定运行。