产品简介："### 型号应用简介

NTAT6H406NT4G-VB 是 VBsemi 公司推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用 TO252 封装，具有低导通电阻和高电流承载能力。该器件适用于高效率、高功率密度的电源管理和电机驱动应用，广泛应用于工业、汽车、消费电子等领域。

### 产品详细参数说明

- **型号名称**: NTAT6H406NT4G-VB
- **品牌**: VBsemi
- **封装**: TO252
- **沟道类型**: Single-N
- **漏源电压 (VDS)**: 80V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vthtyp)**: 3V
- **导通电阻 (RDS(on))**: 4.6mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 120A
- **技术**: SGT (Shielded Gate Trench)

### 应用领域及模块

1. **工业电源模块**:
- **应用**: 工业电源模块需要高效率和高可靠性，NTAT6H406NT4G-VB 的低导通电阻和高电流承载能力使其成为理想选择。
- **模块**: 用于开关电源、DC-DC 转换器和逆变器模块。

2. **汽车电子**:
- **应用**: 汽车电子系统如发动机控制单元 (ECU)、电池管理系统 (BMS) 和车载充电器需要高可靠性和高效率的 MOSFET。
- **模块**: 用于汽车电源管理模块、电机驱动模块和车载充电器模块。

3. **消费电子**:
- **应用**: 消费电子产品如笔记本电脑、平板电脑和智能手机的电源适配器和充电器需要高效率和小尺寸的 MOSFET。
- **模块**: 用于便携式设备的电源管理模块和充电器模块。