产品简介："### 型号应用简介

AP8N4R2MT-VB 是 VBsemi 公司推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用先进的 Trench 技术制造，具有低导通电阻和高电流承载能力。该器件封装为 DFN5X6，适用于高密度、高效率的电源管理和功率转换应用。其优异的电气特性使其在多种领域和模块中表现出色，尤其是在需要高功率密度和低损耗的场景中。

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### 产品详细参数说明

- **型号名称**: AP8N4R2MT-VB
- **品牌**: VBsemi
- **封装**: DFN5X6
- **沟道类型**: Single N-Channel
- **漏源电压 (VDS)**: 80V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vthtyp)**: 3V
- **导通电阻 (RDS(on))**:
- VGS=4.5V 时：12 mΩ
- VGS=10V 时：4.5 mΩ
- **最大漏极电流 (ID)**: 80A
- **技术**: Trench

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### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**
AP8N4R2MT-VB 的低导通电阻和高电流承载能力使其非常适合用于高效率的 DC-DC 转换器和开关电源模块。例如，在服务器电源、通信基站电源和工业电源中，该器件可以有效降低功率损耗，提升系统效率。

2. **电机驱动模块**
在电机驱动应用中，如电动工具、无人机电机驱动和家用电器电机控制，AP8N4R2MT-VB 的高电流能力和快速开关特性能够提供稳定的驱动性能，同时减少发热和能量损耗。