产品简介："### 型号应用简介

**型号名称：IAUC100N08S5N034-VB**
**品牌：VBsemi**
**封装：DFN5X6**
**沟道类型：Single N-Channel**
**VDS（漏源电压）：80V**
**VGS（栅源电压）：±20V**
**Vthtyp（典型阈值电压）：3V**
**RDS(ON)（导通电阻）：VGS=4.5V时为12mΩ，VGS=10V时为4.5mΩ**
**ID（最大漏极电流）：80A**
**技术：Trench（沟槽技术）**

### 产品详细参数说明

IAUC100N08S5N034-VB 是一款高性能的N沟道MOSFET，采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻和高电流承载能力。其封装形式为DFN5X6，适合高密度PCB布局。该器件在VGS=4.5V时的导通电阻为12mΩ，而在VGS=10V时进一步降低至4.5mΩ，表现出优异的开关性能。其最大漏源电压为80V，最大漏极电流为80A，适用于高功率应用场景。

### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**
IAUC100N08S5N034-VB 适用于高效率的DC-DC转换器和电源管理模块。其低导通电阻和高电流能力使其在降压（Buck）和升压（Boost）转换器中表现出色，能够有效降低功率损耗，提高系统效率。

2. **电机驱动模块**
在电机驱动应用中，该MOSFET可以用于驱动直流电机或步进电机。其高电流承载能力和快速开关特性使其在电机控制电路中能够提供稳定的性能，适用于电动工具、家用电器和工业自动化设备。