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常规产品

DMT8003SPSW-VB

产品简介:"### 型号应用简介

**DMT8003SPSW-VB** 是VBsemi品牌推出的一款高性能N沟道MOSFET,采用DFN5X6封装,适用于高功率密度和高效率的应用场景。该器件具有80V的漏源电压(VDS)和±20V的栅源电压(VGS),能够在高电压环境下稳定工作。其低导通电阻(RDS(on))在VGS=4.5V时为12mΩ,在VGS=10V时为4.5mΩ,确保了在高电流(ID=80A)下的低功耗和高效率。DMT8003SPSW-VB采用Trench技术,进一步提升了其开关性能和热管理能力。

### 产品详细参数说明

- **封装**:DFN5X6
- **沟道类型**:Single-N
- **漏源电压(VDS)**:80V
- **栅源电压(VGS)**:±20V
- **阈值电压(Vthtyp)**:3V
- **导通电阻(RDS(on))**:
- VGS=4.5V:12mΩ
- VGS=10V:4.5mΩ
- **漏极电流(ID)**:80A
- **技术**:Trench

### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**:
DMT8003SPSW-VB的低导通电阻和高电流处理能力使其非常适合用于电源管理模块,如DC-DC转换器和开关电源。在这些应用中,MOSFET的高效率和低功耗特性能够显著提升整体系统的能效。

2. **电机驱动模块**:
在电机驱动模块中,DMT8003SPSW-VB的高电压和高电流能力使其能够有效控制电机的启动、停止和速度调节。其快速开关特性也有助于减少电机驱动中的能量损耗。

3. **工业自动化设备**:
工业自动化设备通常需要高可靠性和高效率的功率器件。DMT8003SPSW-VB的Trench技术和低导通电阻使其成为工业自动化设备中功率开关和控制的理想选择。