产品简介："### 型号应用简介

**型号名称：DMTH8008SPSWQ-VB**
**品牌：VBsemi**

DMTH8008SPSWQ-VB 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET，采用先进的 Trench 技术，具有低导通电阻和高电流承载能力。其封装为 DFN5X6，适用于高密度 PCB 设计。该器件在 VGS=4.5V 时的导通电阻为 12mΩ，在 VGS=10V 时进一步降低至 4.5mΩ，能够在高电流应用中提供优异的效率。其 VDS 为 80V，VGS 范围为 ±20V，Vth 典型值为 3V，适合多种中高功率应用场景。

### 产品详细参数说明

- **封装：** DFN5X6
- **沟道类型：** Single N-Channel
- **VDS（漏源电压）：** 80V
- **VGS（栅源电压）：** ±20V
- **Vth（阈值电压）：** 3V（典型值）
- **导通电阻（RDS(on)）：**
- VGS=4.5V 时：12mΩ
- VGS=10V 时：4.5mΩ
- **ID（漏极电流）：** 80A
- **技术：** Trench

### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**
DMTH8008SPSWQ-VB 的低导通电阻和高电流承载能力使其非常适合用于电源管理模块，如 DC-DC 转换器、同步整流器和开关电源。在这些应用中，MOSFET 的高效率能够显著降低功耗，提升系统整体性能。

2. **电机驱动模块**
在电机驱动模块中，如电动工具、无人机和工业电机控制器，DMTH8008SPSWQ-VB 能够提供稳定的高电流输出，确保电机的高效运行。其高 VDS 和低 RDS(on) 特性使其能够承受电机启动时的高电流冲击。