产品简介："### 型号应用简介

AP10N7R5H-VB 是 VBsemi 公司推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用 TO252 封装，适用于高功率密度和高效率的应用场景。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）和高电流承载能力（ID=55A），能够在高电压（VDS=100V）和宽温度范围内稳定工作。其 SGT（Shielded Gate Trench）技术进一步优化了开关性能和热管理，使其成为工业电源、电机驱动、汽车电子等领域的理想选择。

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### 产品详细参数说明

- **封装**：TO252
TO252 封装具有优异的散热性能和紧凑的尺寸，适合高功率密度的应用场景。

- **沟道类型**：Single-N（单 N 沟道）

- **VDS（漏源电压）**：100V

- **VGS（栅源电压）**：±20V

- **Vthtyp（典型阈值电压）**：1.8V

- **RDS(on)（导通电阻）**：
- VGS=4.5V 时：14.5mΩ
- VGS=10V 时：11.5mΩ

- **ID（漏极电流）**：55A

- **技术**：SGT（Shielded Gate Trench）

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### 应用领域及模块举例

1. **工业电源模块**
AP10N7R5H-VB 的低导通电阻和高电流能力使其非常适合用于工业开关电源（SMPS）和 DC-DC 转换器模块。例如，在服务器电源、通信基站电源等高功率密度场景中，该器件可以有效降低功耗并提升效率。

2. **电机驱动模块**
在电机驱动应用中，如电动工具、家用电器（如洗衣机、冰箱）和工业电机控制器中，AP10N7R5H-VB 的高电压和电流能力可以确保电机的高效运行和快速响应。