产品简介："### 型号应用简介

AP10NA8R2LH-VB 是 VBsemi 公司推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用 TO252 封装，具有低导通电阻和高电流承载能力。该器件适用于高效率、高功率密度的应用场景，尤其是在需要快速开关和低功耗的电路中表现出色。
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### 产品详细参数说明

- **型号名称**: AP10NA8R2LH-VB
- **品牌**: VBsemi
- **封装**: TO252
- **沟道类型**: Single-N（单 N 沟道）
- **漏源电压 (VDS)**: 100V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vthtyp)**: 1.8V
- **导通电阻 (RDS(on))**:
- VGS=4.5V 时：14.5 mΩ
- VGS=10V 时：11.5 mΩ
- **最大漏极电流 (ID)**: 55A
- **技术**: SGT（Shielded Gate Trench）

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### 应用领域及模块

1. **电源管理模块**
AP10NA8R2LH-VB 的低导通电阻和高电流承载能力使其非常适合用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器和 AC-DC 电源模块。例如，在服务器电源、通信设备电源和工业电源中，该器件可以有效降低功耗并提高整体效率。

2. **电机驱动模块**
由于其高 VDS 和 ID 参数，该 MOSFET 可用于电机驱动电路，如无刷直流电机（BLDC）驱动器和步进电机驱动器。在电动工具、家用电器（如吸尘器、洗衣机）和工业自动化设备中，AP10NA8R2LH-VB 能够提供稳定的性能和高效的功率输出。