产品简介："### 型号应用简介

**AP10NA8R4H-VB** 是由 **VBsemi** 公司生产的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用 **TO252** 封装。

### 产品详细参数说明

- **封装**：TO252
- **沟道类型**：N 沟道
- **漏源电压（VDS）**：100V
- **栅源电压（VGS）**：±20V
- **阈值电压（Vthtyp）**：1.8V
- **导通电阻（VGS=4.5V）**：14.5mΩ
- **导通电阻（VGS=10V）**：11.5mΩ
- **最大漏极电流（ID）**：55A
- **技术**：SGT（Shielded Gate Trench）

### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**
AP10NA8R4H-VB 的低导通电阻和高电流能力使其非常适合用于 **DC-DC 转换器** 和 **开关电源（SMPS）** 模块中。在这些应用中，MOSFET 的高效率和低损耗特性能够显著提升电源系统的整体性能，尤其是在高功率密度设计中。

2. **电机驱动模块**
该 MOSFET 的高电流承载能力和快速开关特性使其成为 **电机驱动模块** 的理想选择。无论是用于工业电机控制还是家用电器中的电机驱动，AP10NA8R4H-VB 都能提供稳定的性能和高效的功率转换。

3. **电动汽车与充电桩**
在 **电动汽车（EV）** 和 **充电桩** 领域，AP10NA8R4H-VB 可以用于 **电池管理系统（BMS）** 和 **车载充电器（OBC）** 中。其高电压和电流能力能够满足电动汽车对高效能量转换的需求，同时其 SGT 技术确保了在高温环境下的可靠性。