产品简介："### 型号应用简介

AP10NA011H-VB 是 VBsemi 公司推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用 TO252 封装。该器件具有低导通电阻、高电流承载能力和优异的开关性能，适用于多种高功率和高效率的应用场景。
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### 产品详细参数说明

- **封装**：TO252
该封装具有良好的散热性能和紧凑的尺寸，适合高密度 PCB 设计。
- **沟道类型**：Single N-Channel

- **VDS（漏源电压）**：100V

- **VGS（栅源电压）**：±20V

- **Vthtyp（典型阈值电压）**：1.8V

- **RDS(ON)（导通电阻）**：
- VGS=4.5V 时：14.5mΩ
- VGS=10V 时：11.5mΩ

- **ID（漏极电流）**：55A
高电流承载能力，适合大功率应用。
- **技术**：SGT（Shielded Gate Trench）
SGT 技术提供了更低的导通电阻和更高的开关速度，同时增强了器件的可靠性。

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### 应用领域及模块

1. **电源管理模块**
AP10NA011H-VB 的低导通电阻和高电流能力使其非常适合用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器和 AC-DC 整流器。例如，在服务器电源、工业电源和消费类电子产品的电源模块中，该器件可以有效降低功率损耗，提高整体效率。

2. **电机驱动模块**
在电机驱动应用中，如电动工具、家用电器（如洗衣机、冰箱）和工业电机控制器，AP10NA011H-VB 的高电流承载能力和快速开关特性可以显著提升电机控制的响应速度和能效。