产品简介："### 型号应用简介

AP10NA011LH-VB 是 VBsemi 公司推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用 TO252 封装，适用于高电流、高电压的开关应用。
### 产品详细参数说明

- **封装**：TO252
该封装具有优异的散热性能和紧凑的尺寸，适合高功率密度的设计需求。

- **沟道类型**：Single N-Channel
单 N 沟道设计，适用于需要高电流开关的电路。

- **VDS（漏源电压）**：100V
能够承受高达 100V 的电压，适合中高电压应用。

- **VGS（栅源电压）**：±20V

- **Vth（阈值电压）**：1.8V

- **RDS(on)（导通电阻）**：
- VGS=4.5V 时：14.5mΩ
- VGS=10V 时：11.5mΩ

- **ID（漏极电流）**：55A

- **技术**：SGT（Shielded Gate Trench）

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### 应用领域及模块举例

1. **电源管理模块**
AP10NA011LH-VB 的低导通电阻和高电流能力使其非常适合用于 DC-DC 转换器、AC-DC 电源模块以及电池管理系统（BMS）中的开关电路。例如，在服务器电源或工业电源中，它可以作为主开关管，提供高效的功率转换。

2. **电机驱动模块**
在电机驱动应用中，如电动工具、无人机电机控制器或工业电机驱动器，该 MOSFET 能够提供高电流输出和快速开关性能，确保电机的高效运行和精确控制。

3. **LED 驱动模块**
由于其低导通电阻和高电压耐受能力，AP10NA011LH-VB 可用于高功率 LED 驱动电路，例如户外照明或舞台灯光设备中的恒流驱动模块。