产品简介："### 型号应用简介
IPD130N10NF2S-VB** 是由 **VBsemi** 公司生产的一款高性能 **N沟道 MOSFET**，采用 **TO252** 封装。

### 产品详细参数说明

封装**：TO252
沟道类型**：Single-N
漏源电压（VDS）**：100V
栅源电压（VGS）**：±20V
阈值电压（Vthtyp）**：1.8V
导通电阻（RDS(on)）**：
VGS=4.5V：14.5mΩ
VGS=10V：11.5mΩ
漏极电流（ID）**：55A
技术**：SGT（Shielded Gate Trench）

### 应用领域与模块

1.电源管理模块**：
应用场景**：开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC适配器等。
- **优势**：IPD130N10NF2S-VB 的低导通电阻和高电流能力使其在电源管理模块中表现出色，能够有效降低功耗并提高转换效率。其 SGT 技术还确保了快速开关，适用于高频开关电源设计。

2. 电机驱动模块**：
-应用场景**：电动工具、家用电器（如洗衣机、吸尘器）、工业电机控制等。
-优势**：该 MOSFET 的高电流承载能力和低导通电阻使其非常适合用于电机驱动模块，尤其是在需要高效率和低热损耗的应用中。其 TO252 封装也便于散热设计，适合高功率电机驱动。

3.汽车电子模块**：
- **应用场景**：车载充电器（OBC）、电池管理系统（BMS）、电动助力转向（EPS）等。
- **优势**：IPD130N10NF2S-VB 的 100V VDS 和 55A ID 使其能够满足汽车电子中对高电压和高电流的需求。其 SGT 技术还提供了更高的可靠性和耐用性，适合在恶劣的汽车环境中使用。