产品简介："### 型号应用简介

**IPD60N10S4-12-VB** 是由 **VBsemi** 公司生产的一款高性能 **N沟道 MOSFET**，采用 **TO252** 封装。

### 产品详细参数说明

- **封装**：TO252
- **沟道类型**：Single-N（单N沟道）
- **漏源电压（VDS）**：100V
- **栅源电压（VGS）**：±20V
- **阈值电压（Vthtyp）**：1.8V
- **导通电阻（RDS(on)）**：
- VGS=4.5V：14.5mΩ
- VGS=10V：11.5mΩ
- **连续漏极电流（ID）**：55A
- **技术**：SGT（Shielded Gate Trench，屏蔽栅沟槽技术）

### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**：
- **应用**：IPD60N10S4-12-VB 适用于高效率的 **DC-DC 转换器** 和 **AC-DC 电源** 模块。其低导通电阻和高电流处理能力使其在电源管理系统中能够有效降低功耗，提升整体效率。
- **模块**：常用于 **开关电源（SMPS）**、**电池充电器** 和 **逆变器** 等模块中。

2. **电机驱动模块**：
- **应用**：该 MOSFET 适用于 **电机驱动** 应用，特别是在需要高电流和低导通电阻的场合，如 **电动工具**、**家用电器** 和 **工业电机** 等。
- **模块**：常用于 **BLDC（无刷直流电机）控制器** 和 **步进电机驱动器** 中。