产品简介："### 型号应用简介

**型号名称：DMT10H010LK3-VB**
**品牌：VBsemi**
**封装：TO252**
**沟道类型：Single-N**
**最大漏源电压（VDS）：100V**
**栅源电压范围（VGS）：±20V**
**阈值电压（Vthtyp）：1.8V**
**在VGS=4.5V时的导通电阻（RDS(on)）：14.5mΩ**
**在VGS=10V时的导通电阻（RDS(on)）：11.5mΩ**
**最大漏极电流（ID）：55A**
**技术：SGT（Shielded Gate Trench）**

### 应用领域及模块

1. **电源管理模块**
DMT10H010LK3-VB 适用于电源管理模块，特别是在需要高效率和高电流处理能力的开关电源中。其低导通电阻和高电流处理能力使其成为DC-DC转换器、AC-DC转换器以及电池充电器等电源管理应用的理想选择。

2. **电机驱动模块**
在电机驱动模块中，DMT10H010LK3-VB 可以用于驱动各种类型的电机，如直流电机、步进电机和伺服电机。其高电压和高电流特性使其能够有效控制电机的启动、停止和速度调节，适用于工业自动化、电动工具和家用电器等领域。

3. **汽车电子模块**
该MOSFET适用于汽车电子模块，如电动助力转向系统（EPS）、车载充电器（OBC）和电池管理系统（BMS）。其高可靠性和高电压处理能力使其能够在汽车电子系统中稳定运行，满足汽车行业对高可靠性和高效率的要求。