产品简介："### 型号应用简介

**DMT10H009LK3-VB** 是 VBsemi 品牌推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用 TO252 封装。该器件具有低导通电阻、高电流承载能力和优异的开关性能，适用于多种高功率和高效率的应用场景。
### 产品详细参数说明

- **封装**：TO252
- **沟道类型**：Single-N（单 N 沟道）
- **漏源电压 (VDS)**：100V
- **栅源电压 (VGS)**：±20V
- **阈值电压 (Vthtyp)**：1.8V
- **导通电阻 (RDS(on))**：
- VGS=4.5V 时：14.5 mΩ
- VGS=10V 时：11.5 mΩ
- **漏极电流 (ID)**：55A
- **技术**：SGT（Shielded Gate Trench）

### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**
DMT10H009LK3-VB 的低导通电阻和高电流承载能力使其非常适合用于电源管理模块，尤其是在开关电源（SMPS）和 DC-DC 转换器中。其高效的开关性能可以显著降低功耗，提升整体电源效率。

2. **电机驱动模块**
在电机驱动应用中，该 MOSFET 能够提供稳定的高电流输出，适用于电动工具、家用电器（如洗衣机、吸尘器）以及工业电机控制系统。其高 VDS 和低 RDS(on) 特性确保了电机在高速运转时的可靠性和效率。

3. **汽车电子模块**
由于其高耐压和高温性能，DMT10H009LK3-VB 非常适合用于汽车电子模块，如车载充电器、电池管理系统（BMS）和电动助力转向系统（EPS）。其 SGT 技术进一步增强了器件在恶劣环境下的稳定性。