产品简介："### 型号应用简介

**FDD86069-F085-VB** 是 VBsemi 公司推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用 TO252 封装，具有低导通电阻和高电流承载能力。

### 产品详细参数说明

- **封装**：TO252
该封装具有良好的散热性能和紧凑的尺寸，适合高密度 PCB 布局。

- **沟道类型**：Single N-Channel

- **VDS（漏源电压）**：100V

- **VGS（栅源电压）**：±20V

- **Vthtyp（典型阈值电压）**：1.8V

- **VGS=4.5V 时的 RDS(on)**：14.5mΩ

- **VGS=10V 时的 RDS(on)**：11.5mΩ

- **ID（漏极电流）**：55A

- **技术**：SGT（Shielded Gate Trench）


### 应用领域与模块

1. **高效率电源转换**
FDD86069-F085-VB 适用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器和逆变器。其低导通电阻和高电流能力使其在电源转换模块中能够有效降低功率损耗，提高整体效率。

2. **电机驱动**
该 MOSFET 适用于电机驱动模块，如电动工具、家用电器和工业电机控制器。其高 VDS 和 ID 能力使其能够驱动高功率电机，同时低 Vth 和优化的 VGS 特性使其在低电压驱动应用中表现出色。

3. **工业控制**
在工业控制系统中，FDD86069-F085-VB 可用于 PLC（可编程逻辑控制器）和工业自动化设备的电源管理模块。其高可靠性和高功率处理能力使其在恶劣的工业环境中表现出色。