产品简介："### 型号应用简介

**ISC080N10NM6-VB** 是 VBsemi 推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用先进的 SGT（Shielded Gate Trench）技术，具有低导通电阻和高电流承载能力。



### 产品详细参数说明

- **封装**：DFN5X6

- **沟道类型**：Single-N
VDS（漏源电压）**：100V
VGS（栅源电压）**：±20V
Vthtyp（阈值电压）**：2.5V

导通电阻（RDS(on)）**：
- VGS=4.5V 时：11.5 mΩ
- VGS=10V 时：9.5 mΩ

- **ID（漏极电流）**：55A

- **技术**：SGT（Shielded Gate Trench）

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### 应用领域及模块举例

1. **电源管理模块**
ISC080N10NM6-VB 的低导通电阻和高电流能力使其非常适合用于 DC-DC 转换器、AC-DC 电源模块以及开关电源（SMPS）中的功率开关。例如，在服务器电源、通信设备电源和工业电源中，该器件可以有效降低功耗，提高系统效率。

2. **电机驱动模块**
在电机驱动电路中，该 MOSFET 可用于驱动直流电机、步进电机或 BLDC 电机。其高电流能力和低导通电阻确保了电机的高效运行，同时减少了发热问题。例如，在电动工具、家用电器（如吸尘器、洗衣机）和工业自动化设备中，该器件表现出色。

3. **电池保护模块**
在电池管理系统（BMS）中，ISC080N10NM6-VB 可用于电池充放电保护电路。其高电压和电流能力使其能够有效管理电池的充放电过程，防止过充、过放和短路等问题。例如，在电动汽车、电动自行车和储能系统中，该器件是理想的选择。