产品简介："### 型号应用简介

BSC109N10NS3 G-VB 是 VBsemi 公司推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用先进的 SGT（Shielded Gate Trench）技术，具有低导通电阻、高开关速度和优异的散热性能。该器件适用于高功率密度和高效率的应用场景，广泛应用于电源管理、电机驱动、工业控制和汽车电子等领域。

### 产品详细参数说明

- **型号名称**: BSC109N10NS3 G-VB
- **品牌**: VBsemi
- **封装**: DFN5X6
- **沟道类型**: Single-N（单 N 沟道）
- **漏源电压 (VDS)**: 100V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vthtyp)**: 2.5V
- **导通电阻 (RDS(on))**:
- VGS=4.5V 时：11.5 mΩ
- VGS=10V 时：9.5 mΩ
- **漏极电流 (ID)**: 55A
- **技术**: SGT（Shielded Gate Trench）

### 应用领域及模块

1. **电源管理模块**
BSC109N10NS3 G-VB 的低导通电阻和高电流承载能力使其非常适合用于开关电源、DC-DC 转换器和同步整流电路。其高效的开关性能可以显著降低功率损耗，提升电源系统的整体效率。例如，在服务器电源、通信基站电源和工业电源模块中，该器件能够提供稳定的高功率输出。

2. **电机驱动模块**
在电机驱动应用中，如电动工具、无人机电机和工业机器人，BSC109N10NS3 G-VB 的高电流能力和快速开关特性可以有效控制电机的启动、停止和调速。其低导通电阻还能减少发热，延长电机寿命。