产品简介："### 型号应用简介

**DMT10H010SPS-VB** 是 VBsemi 品牌推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用先进的 SGT（Shielded Gate Trench）技术，具有低导通电阻和高电流承载能力。

### 产品详细参数说明

- **封装**：DFN5X6


- **沟道类型**：Single N-Channel

- **VDS（漏源电压）**：100V

- **VGS（栅源电压）**：±20V

- **Vthtyp（阈值电压）**：2.5V

- **导通电阻**：
- VGS=4.5V 时：11.5 mΩ
- VGS=10V 时：9.5 mΩ

- **ID（漏极电流）**：55A

- **技术**：SGT（Shielded Gate Trench）


### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**
DMT10H010SPS-VB 的低导通电阻和高电流承载能力使其非常适合用于 DC-DC 转换器、AC-DC 电源适配器以及电池充电器等电源管理模块。其高效能特性有助于减少能量损耗，提高电源转换效率。

2. **电机驱动模块**
在电机驱动应用中，如电动工具、家用电器和工业电机控制器，DMT10H010SPS-VB 的高电流能力和快速开关特性可以显著提高电机的响应速度和运行效率。

3. **电池保护模块**
由于其高耐压和低导通电阻，DMT10H010SPS-VB 非常适合用于电池保护电路，如锂电池保护板（BMS）。它能够有效管理电池充放电过程中的电流和电压，确保电池的安全和寿命。