产品简介："### 型号应用简介

**DMT10H003SPSW-VB** 是 VBsemi 推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用先进的 SGT（Shielded Gate Trench）技术，具有低导通电阻和高电流承载能力。该器件适用于高效率、高功率密度的电源管理和开关应用。其封装形式为 DFN5X6，体积小巧，适合空间受限的设计。

### 产品详细参数说明

- **封装**：DFN5X6
- **沟道类型**：Single N-Channel
- **漏源电压 (VDS)**：100V
- **栅源电压 (VGS)**：±20V
- **阈值电压 (Vthtyp)**：2.5V
- **导通电阻 (RDS(on))**：
- VGS=4.5V 时：11.5 mΩ
- VGS=10V 时：9.5 mΩ
- **最大漏极电流 (ID)**：55A
- **技术**：SGT（Shielded Gate Trench）

### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**：
- **应用**：DMT10H003SPSW-VB 适用于高效率的 DC-DC 转换器、同步整流器和电池管理系统。其低导通电阻和高电流承载能力使其在电源管理模块中表现出色，能够有效降低功耗并提高系统效率。
- **模块**：适用于服务器电源、通信电源、工业电源等高功率密度电源模块。

2. **电机驱动模块**：
- **应用**：该 MOSFET 可用于电机驱动电路，特别是在需要高电流和低导通电阻的场合，如电动工具、家用电器和工业电机驱动。
- **模块**：适用于 BLDC（无刷直流电机）驱动模块、步进电机驱动模块等。