产品简介："### 型号应用简介

AP10N024H-VB 是 VBsemi 公司推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用 TO252 封装，具有低导通电阻和高电流承载能力。

### 产品详细参数说明

- **封装**：TO252
TO252 封装具有良好的散热性能和紧凑的尺寸，适合高功率密度的应用场景。

- **沟道类型**：Single N-Channel

- **VDS（漏源电压）**：100V


- **VGS（栅源电压）**：±20V

- **Vthtyp（阈值电压）**：1.8V

- **导通电阻**：
- VGS=4.5V 时，RDS(on) 为 26mΩ
- VGS=10V 时，RDS(on) 为 21mΩ

- **ID（漏极电流）**：35A

- **技术**：SGT（Shielded Gate Trench）

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### 应用领域及模块示例

1. **电源管理模块**
AP10N024H-VB 适用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器和 AC-DC 适配器等电源管理模块。其低导通电阻和高电流能力可以有效降低功率损耗，提升电源效率。

2. **电机驱动模块**
在电机驱动电路中，该 MOSFET 可用于驱动直流电机、步进电机或 BLDC 电机。其高电压和高电流特性使其能够承受电机启动时的峰值电流。

3. **LED 驱动模块**
在 LED 照明系统中，AP10N024H-VB 可用于恒流驱动电路，确保 LED 的稳定工作。其低导通电阻有助于减少发热，延长 LED 寿命。