产品简介："### 型号应用简介

AP10N024H-DS-VB 是 VBsemi 公司推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用 TO252 封装，具有低导通电阻和高电流承载能力。
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### 产品详细参数说明

1. **封装**：TO252
TO252 封装具有良好的散热性能和紧凑的尺寸，适合高功率密度设计。

2. **沟道类型**：Single-N（单 N 沟道）

3. **VDS（漏源电压）**：100V

4. **VGS（栅源电压）**：±20V

5. **Vthtyp（典型阈值电压）**：1.8V

6. **RDS(on)（导通电阻）**：
- VGS=4.5V 时：26mΩ
- VGS=10V 时：21mΩ

7. **ID（漏极电流）**：35A

8. **技术**：SGT（Shielded Gate Trench）


### 应用领域及模块示例

1. **开关电源（SMPS）**
AP10N024H-DS-VB 的低导通电阻和高开关频率特性使其非常适合用于高效率开关电源模块，如 AC-DC 转换器、DC-DC 转换器等。其高电流承载能力可满足大功率电源的需求。

2. **电机驱动**
在电机驱动模块中，该 MOSFET 可用于驱动直流电机、步进电机或 BLDC 电机。其低 Vth 和快速开关特性有助于实现精确的电机控制和高效能运行。

3. **电池管理系统（BMS）**
在电动汽车或储能系统中，AP10N024H-DS-VB 可用于电池充放电控制模块。其高电压和电流能力确保了系统的安全性和可靠性。