产品简介："### 型号应用简介

**DMT10H015SK3-VB** 是VBsemi品牌推出的一款高性能N沟道MOSFET，采用TO252封装，适用于多种高功率和高效率的电子应用
### 产品详细参数说明

- **封装**：TO252
- **沟道类型**：Single-N（单N沟道）
- **漏源电压（VDS）**：100V
- **栅源电压（VGS）**：±20V
- **阈值电压（Vthtyp）**：1.8V
- **导通电阻（RDS(on)）**：
- VGS=4.5V时：26mΩ
- VGS=10V时：21mΩ
- **漏极电流（ID）**：35A
- **技术**：SGT（Shielded Gate Trench）

### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**：
- **应用**：DMT10H015SK3-VB适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和AC-DC转换器等电源管理模块。其低导通电阻和高电流承载能力使其在高效能电源设计中表现出色，尤其是在需要高功率密度和高效率的应用中。
- **模块**：例如，在服务器电源、通信基站电源和工业电源模块中，该MOSFET可以用于主开关或同步整流器，以提高整体电源效率。

2. **电机驱动模块**：
- **应用**：在电机驱动应用中，如电动工具、家用电器和工业电机控制器，DMT10H015SK3-VB可以作为电机驱动电路中的开关元件。其高电压和高电流特性使其能够有效控制电机的启动、停止和速度调节。
- **模块**：例如，在无刷直流电机（BLDC）控制器中，该MOSFET可以用于三相逆变器电路，实现高效能的电机控制。