产品简介："### 型号应用简介

**DMTH10H015SK3-VB** 是由 **VBsemi** 推出的高性能 N 沟道 MOSFET，采用 **TO252** 封装。该器件具有 **100V** 的漏源电压（VDS）和 **±20V** 的栅源电压（VGS），适用于中高功率应用。
### 产品详细参数说明

- **封装**：TO252
- **沟道类型**：N 沟道
- **漏源电压（VDS）**：100V
- **栅源电压（VGS）**：±20V
- **阈值电压（Vthtyp）**：1.8V
- **导通电阻（RDS(on)）**：
- VGS=4.5V 时：26mΩ
- VGS=10V 时：21mΩ
- **最大漏极电流（ID）**：35A
- **技术**：SGT（Shielded Gate Trench）

### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**
DMTH10H015SK3-VB 的低导通电阻和高电流承载能力使其非常适合用于 **DC-DC 转换器** 和 **开关电源** 中的功率开关部分。其高效的开关性能能够显著降低电源模块的功耗，提升整体效率。

2. **电机驱动模块**
在 **电机驱动** 应用中，该 MOSFET 的高电流能力和低导通电阻可以有效减少电机驱动电路中的热量产生，适用于 **电动工具**、**家用电器** 和 **工业电机控制** 等领域。

3. **LED 驱动模块**
由于其低阈值电压和高效的开关特性，DMTH10H015SK3-VB 也适用于 **LED 驱动电路**，尤其是在需要高效率和稳定性的 **大功率 LED 照明** 系统中。