产品简介："### 型号应用简介

**DMTH10H015SK3Q-VB** 是VBsemi品牌推出的一款高性能N沟道MOSFET，采用TO252封装。该器件具有低导通电阻、高电流承载能力和优异的开关特性，适用于多种高功率和高效率的电子应用。其设计采用了先进的SGT（Shielded Gate Trench）技术，进一步提升了器件的性能和可靠性。

### 产品详细参数说明

- **封装**：TO252
- **沟道类型**：Single N-Channel
- **漏源电压（VDS）**：100V
- **栅源电压（VGS）**：±20V
- **阈值电压（Vthtyp）**：1.8V
- **导通电阻（RDS(on)）**：
- VGS=4.5V时：26mΩ
- VGS=10V时：21mΩ
- **漏极电流（ID）**：35A
- **技术**：SGT（Shielded Gate Trench）

### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**：
- **应用**：DC-DC转换器、AC-DC转换器、开关电源
- **说明**：DMTH10H015SK3Q-VB的低导通电阻和高电流承载能力使其非常适合用于高效率的电源管理模块。在DC-DC转换器中，它可以有效降低功率损耗，提升整体效率。在AC-DC转换器中，其高耐压特性确保了系统的稳定性和可靠性。

2. **电机驱动模块**：
- **应用**：电动工具、家用电器、工业电机驱动
- **说明**：该MOSFET的高电流能力和快速开关特性使其成为电机驱动模块的理想选择。在电动工具和家用电器中，它可以提供高效的电机控制，减少能量损耗。在工业电机驱动中，其高耐压和低导通电阻确保了系统的稳定运行和长寿命。