产品简介："### 型号应用简介

**DMTH10H015LK3-VB** 是 VBsemi 品牌推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用 TO252 封装。该器件具有低导通电阻、高电流承载能力和优异的开关性能，适用于高效率、高功率密度的电源管理和电机驱动应用。
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### 产品详细参数说明

- **封装**：TO252

- **沟道类型**：Single-N（单 N 沟道）

- **VDS（漏源电压）**：100V


- **Vthtyp（典型阈值电压）**：1.8V

- **导通电阻**：
- VGS=4.5V 时：26 mΩ
- VGS=10V 时：21 mΩ

- **ID（漏极电流）**：35A

- **技术**：SGT（Shielded Gate Trench）


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### 应用领域及模块示例

1. **电源管理模块**
- **应用场景**：DC-DC 转换器、AC-DC 电源适配器、开关电源（SMPS）
- **优势**：低导通电阻和高开关频率使其在电源转换中表现出色，能够显著降低功率损耗，提高整体效率。

2. **电机驱动模块**
- **应用场景**：电动工具、家用电器（如吸尘器、洗衣机）、工业电机驱动
- **优势**：高电流承载能力和低阈值电压使其在电机驱动中能够提供稳定的性能，同时减少发热和能量损耗。

3. **LED 驱动模块**
- **应用场景**：LED 照明驱动、LED 显示屏电源
- **优势**：高效的开关性能和低导通电阻使其在 LED 驱动电路中能够实现高效率和低功耗。