产品简介："### 型号应用简介

**DMT10H025LK3-VB** 是 VBsemi 公司推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用 TO252 封装，适用于多种高功率和高效率的应用场景。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）和高电流承载能力，能够在高电压和高电流条件下稳定工作。其 SGT（Shielded Gate Trench）技术进一步提升了开关效率和热性能，使其在高频开关应用中表现出色。

### 产品详细参数说明

- **封装**：TO252
- **沟道类型**：Single-N
- **漏源电压 (VDS)**：100V
- **栅源电压 (VGS)**：±20V
- **阈值电压 (Vthtyp)**：1.8V
- **导通电阻 (RDS(on))**：
- VGS=4.5V 时：26 mΩ
- VGS=10V 时：21 mΩ
- **漏极电流 (ID)**：35A
- **技术**：SGT（Shielded Gate Trench）

### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**：
- **应用**：DMT10H025LK3-VB 适用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器和 AC-DC 转换器等电源管理模块。其低导通电阻和高电流承载能力使其在高效电源转换中表现出色，尤其是在需要高功率密度的应用中。
- **模块示例**：服务器电源、工业电源、通信设备电源。

2. **电机驱动模块**：
- **应用**：该 MOSFET 适用于电机驱动电路，如无刷直流电机（BLDC）和有刷直流电机的驱动。其高电压和高电流特性使其能够承受电机启动和运行时的峰值电流。
- **模块示例**：电动工具、家用电器（如洗衣机、吸尘器）、工业电机驱动器。