产品简介："### 型号应用简介

**DMTH10H025LK3-VB** 是VBsemi品牌推出的一款高性能N沟道MOSFET，采用TO252封装。该器件具有低导通电阻、高电流承载能力和优异的开关性能，适用于多种高功率和高效率的应用场景。其设计采用了先进的SGT（Shielded Gate Trench）技术，进一步提升了器件的性能和可靠性。

### 产品详细参数说明

- **封装**：TO252
- **沟道类型**：Single-N（单N沟道）
- **漏源电压（VDS）**：100V
- **栅源电压（VGS）**：±20V
- **阈值电压（Vthtyp）**：1.8V
- **导通电阻（RDS(on)）**：
- VGS=4.5V时：26mΩ
- VGS=10V时：21mΩ
- **漏极电流（ID）**：35A
- **技术**：SGT（Shielded Gate Trench）

### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**：
- **应用**：DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、开关电源（SMPS）
- **说明**：DMTH10H025LK3-VB的低导通电阻和高电流承载能力使其非常适合用于高效率的电源管理模块。在DC-DC转换器中，它可以有效降低功率损耗，提升整体效率。在开关电源中，其快速的开关速度和低导通电阻有助于减少热量产生，提高系统可靠性。

2. **电机驱动模块**：
- **应用**：电动工具、家用电器、工业电机驱动
- **说明**：在电机驱动应用中，DMTH10H025LK3-VB的高电流能力和低导通电阻使其能够有效驱动各种类型的电机。其优异的开关性能可以确保电机启动和停止时的平稳运行，减少电磁干扰（EMI）和机械应力。