产品简介："### 型号应用简介

**DMTH10H025SK3-VB** 是 VBsemi 公司推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用 TO252 封装，适用于高功率密度和高效率的应用场景。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）和高电流承载能力，能够在高电压和高温环境下稳定工作。其 SGT（Shielded Gate Trench）技术进一步优化了开关性能和热管理，使其在高频开关和功率转换应用中表现出色。

### 产品详细参数说明

- **封装**：TO252
- **沟道类型**：Single-N（单 N 沟道）
- **漏源电压（VDS）**：100V
- **栅源电压（VGS）**：±20V
- **阈值电压（Vthtyp）**：1.8V
- **导通电阻（RDS(on)）**：
- VGS=4.5V 时：26 mΩ
- VGS=10V 时：21 mΩ
- **漏极电流（ID）**：35A
- **技术**：SGT（Shielded Gate Trench）

### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**：
- **应用**：DC-DC 转换器、AC-DC 电源适配器
- **说明**：DMTH10H025SK3-VB 的低导通电阻和高电流承载能力使其非常适合用于高效率的电源管理模块。例如，在笔记本电脑的电源适配器中，该 MOSFET 可以用于同步整流电路，显著降低功耗并提高整体效率。

2. **电机驱动模块**：
- **应用**：电动工具、家用电器（如洗衣机、吸尘器）
- **说明**：在电机驱动模块中，DMTH10H025SK3-VB 可以用于 H 桥电路，控制电机的正反转和速度调节。其高电压和电流能力使其能够驱动大功率电机，同时 SGT 技术确保了快速开关和低热损耗。