产品简介："### 型号应用简介

**DMNH10H028SK3-VB** 是VBsemi品牌推出的一款高性能N沟道MOSFET，采用TO252封装，适用于多种高功率和高效率的电子应用。
### 产品详细参数说明

- **封装**：TO252
- **沟道类型**：Single N-Channel
- **漏源电压 (VDS)**：100V
- **栅源电压 (VGS)**：±20V
- **阈值电压 (Vthtyp)**：1.8V
- **导通电阻 (RDS(on))**：
- VGS=4.5V时：26mΩ
- VGS=10V时：21mΩ
- **漏极电流 (ID)**：35A


### 应用领域及模块

1. **电源管理模块**：
- **应用**：DC-DC转换器、AC-DC电源适配器
- **说明**：DMNH10H028SK3-VB的低导通电阻和高电流承载能力使其在电源管理模块中表现出色，能够有效降低功耗，提高转换效率。例如，在笔记本电脑的电源适配器中，该器件可以用于主开关管，确保高效的能量转换和稳定的输出电压。

2. **电机驱动模块**：
- **应用**：电动工具、家用电器、工业电机
- **说明**：在电机驱动模块中，DMNH10H028SK3-VB的高电流能力和快速开关特性使其能够高效地控制电机的启动、停止和速度调节。例如，在电动工具中，该器件可以用于驱动电机，提供强劲的动力输出和精确的控制。

3. **逆变器模块**：
- **应用**：太阳能逆变器、UPS不间断电源
- **说明**：在逆变器模块中，DMNH10H028SK3-VB的高电压和低导通电阻特性使其能够高效地将直流电转换为交流电。例如，在太阳能逆变器中，该器件可以用于主开关管，确保高效的能量转换和稳定的交流输出。