产品简介："### 型号应用简介

**DMNH10H028SK3Q-VB** 是 VBsemi 品牌推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用 TO252 封装。该器件具有低导通电阻、高电流承载能力和优异的开关性能，适用于多种高功率和高效率的应用场景。其独特的设计和先进的 SGT（Shielded Gate Trench）技术使其在电源管理、电机驱动和工业控制等领域表现出色。

### 产品详细参数说明

- **封装**：TO252
- **沟道类型**：Single N-Channel
- **漏源电压 (VDS)**：100V
- **栅源电压 (VGS)**：±20V
- **阈值电压 (Vthtyp)**：1.8V
- **导通电阻 (RDS(on))**：
- VGS=4.5V 时：26 mΩ
- VGS=10V 时：21 mΩ
- **漏极电流 (ID)**：35A
- **技术**：SGT（Shielded Gate Trench）

### 应用领域及模块

1. **电源管理模块**：
- **应用**：DC-DC 转换器、AC-DC 转换器
- **说明**：DMNH10H028SK3Q-VB 的低导通电阻和高电流承载能力使其在电源管理模块中表现出色，尤其是在高效率的 DC-DC 转换器中。其低阈值电压和快速开关特性有助于减少开关损耗，提高整体系统效率。

2. **电机驱动模块**：
- **应用**：电动工具、家用电器、工业电机
- **说明**：在电机驱动模块中，该 MOSFET 能够提供稳定的高电流输出，适用于各种电动工具和家用电器的电机控制。其高 VDS 和低 RDS(on) 使其在电机启动和运行过程中表现出色，减少热量产生，延长设备寿命。