产品简介："### 型号应用简介

**FDD86080-F085-VB** 是 VBsemi 品牌推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用 TO252 封装。该器件具有低导通电阻、高电流承载能力和优异的开关性能，适用于多种高功率和高效率的应用场景。其低阈值电压（Vthtyp=1.8V）和宽栅极电压范围（VGS=±20V）使其在低压和高压系统中都能表现出色。

### 产品详细参数说明

- **封装**：TO252
- **沟道类型**：Single N-Channel
- **漏源电压（VDS）**：100V
- **栅源电压（VGS）**：±20V
- **阈值电压（Vthtyp）**：1.8V
- **导通电阻（RDS(on)）**：
- VGS=4.5V 时：26mΩ
- VGS=10V 时：21mΩ
- **漏极电流（ID）**：35A
- **技术**：SGT（Shielded Gate Trench）

### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**：
- **应用**：开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器
- **说明**：FDD86080-F085-VB 的低导通电阻和高电流承载能力使其非常适合用于高效率的电源管理模块。在开关电源和 DC-DC 转换器中，它可以有效降低功耗，提高整体效率。

2. **电机驱动模块**：
- **应用**：电动工具、家用电器、工业电机
- **说明**：在电机驱动模块中，该 MOSFET 能够提供稳定的高电流输出，确保电机在各种负载条件下都能平稳运行。其低阈值电压和快速开关特性使其在 PWM 控制中表现出色。